当前,电子产品技术的发展一方面随着高分子材料的广泛使用,致使产品静电现象的产生变得日益严重;另一方面,电子元器件日趋微小型化,使得静电的危险性越来越大。现国外微电路的制造已普通采用了0.8~1.0μm技术,国内也已达到2~3μm水平,这种微细加工技术和产品细微结构,使其对静电的敏感性越来越高,并且已达到不可忽视的程度。
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(责任编辑:伊梦) |
当前,电子产品技术的发展一方面随着高分子材料的广泛使用,致使产品静电现象的产生变得日益严重;另一方面,电子元器件日趋微小型化,使得静电的危险性越来越大。现国外微电路的制造已普通采用了0.8~1.0μm技术,国内也已达到2~3μm水平,这种微细加工技术和产品细微结构,使其对静电的敏感性越来越高,并且已达到不可忽视的程度。
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