静电放电主要通过放电辐射、静电感应、电磁感应和传导耦合等途径危害电子设备。静电放电属于脉冲式干扰，它对电子电路的干扰一般取决于脉冲幅度、宽度及脉冲的能量。一些静电放电时带电电压或能量虽然不大，但由于在极短时间内起作用，其瞬间能量密度也会对期间和电路产生干扰和危害。

　　电子元器件的静电损害静电会损害电子元器件现代电子行业研发与生产过程中，大规模集成电路的应用愈加广泛。大规模集成电路具体积小、速度快的特点，正是由于其内部线路之间的间距短、面积小，但这必然以牺牲其耐压、耐流参数为昂贵代价。CMOS电路是集成电路中最常见的电路类型，其对静电极为敏感。特别是在越来越低的工作电压所设计的电路中，由于器件栅极氧化膜极薄，因而耐压界限很低，微小的电荷就能导致器件损坏。静电放电可是器件内部极间电容立即被充到高电压，使得氧化物遭到破坏，以致造成短路、开路、击穿和金属化层的熔融现象。

　　静电放电的损害往往只有10%造成电子元器件当时完全失效静电放电的损害往往只有10%造成电子元器件当时完全失效在电子元器件静电损害中，静电放电的损害往往只有10%造成电子元器件当时完全失效，通常表现为短路、开路以及参数的严重变化，超出其额定范围，器件完全丧失了其特定功能;而另外90%会潜伏下来，造成累积效应，一般情况下，一次ESD(静电释放)后不足以引起器件立即完全失效，但元器件内部会存在某种程度的轻微损伤，通常表现为参数有小的偏差或漂移，潜在失效并不明显，因为极易被人们忽视，若这种元器件继续带伤工作，随着ESD次数的增加，积累效应越来越明显，其损伤程度会逐渐加剧，最终必将导致失效。

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