1)增加限流电阻或泄放电阻的保护措施

 

 

　　增加限流电阻或泄放电阻的保护措施见图2，在图2中R1，R2及R5是限流电阻，对CMOS器件选0．2～10 kΩ左右，R3及R4及并联的电容C1和C2对防静电有好处。必须说明增加泄放电阻及电容后会影响输入波形的，电容要小。

 

 

　　2)隔离保护措施

 

 

　　这里有几种方案，把进入CMOS输入端的静电用各种方法隔离或吸收。

 

 

　　①采用射极跟随器的隔离保护如图3所示。

 

 

　　图3中R1、R2和R4大约0．5～2 kΩ，因为这个电阻很小，到达输入端及输出端的静电荷，通过R1、R2和R4很快就吸收掉。但有时影响输出波形，使用时应注意。

 

 

　　②采用互补放大器的隔离保护如图4所示。

 

 

　　这种方法对输出波形影响小，但增加器件数目，互补三极和参数要对称一致，必须进行配对测试。

 

 

　　③采用光电耦合器的隔离保护。

 

 

　　把图4的互补放大器换为光电耦合器，减少了配对测试的必要性。

 

 

　　3)增加稳压器或瞬变电压抑制二极管保护CMOS栅极避免电击穿

 

 

　　如CMOS电源电压为10 V，增加15 V左右的稳压管；如CMOS电源电压为5 V，增加7 V左右的稳压管，不仅可以加在CMOS的输入端或输出端，还可以加在CMOS的电源端，如图5所示。

 

 

　　因为静电不是直流电，是很快可以吸收而消除的，如果有几百伏或几千伏的静电接触，如图5中CMOS的输入端、输出端或电源端，那么D1、D2、D3和D4立刻击穿导通，把静电吸收掉。

 

 

　　3 结束语

 

 

　　通过上述几种方法，能够有效的消除静电对CMOS器件的损伤，不过都是以增加元器件的数量以及牺牲输入信号的质量为代价。但如果元器件选用得当，在多数情况下只会牺牲很少的输入信号质量，而使CMOS器件免受静电损伤。

 

 

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