第一，实现片上ESD鲁棒性并不需要活性区域镇流(active area ballast)或者硅化物模块。
     为增强ESD鲁棒性的镇流并不需要较大的硅化物模块或者活性区域来实现。可以使用工艺技术中后端的要素，比如与硅片之间的触点，与多晶硅之间的触点，以及硅化的多晶硅来形成镇流网络。这种实现方法的关键是引入了镇流电阻的“分割”：使用多个并行的大电阻来形成一个全局的具有低串联阻抗的ESD鲁棒性器件。
     这种技术不仅提供很高的ESD性能，而且也不需要硅化物模块。
     模拟电路设计工程师经常使用硅化物模块来实现精密电阻。这样的好处在于极大地降低了漏区到阱区之间的寄生电容：比较一个最小尺寸的漏区扩散和一个3微米到4微米有源镇流的漏区扩散，这种方式可以工作于任何宽度尺寸的I/O晶体管。
     第二，镇流区域可以共享，较大的驱动器可以用相对较小的硅面积来实现。
     当不用活性区镇流就会存在介质隔离电阻。硅片实现已经证明并不一定需要某一个最小尺寸空间电阻来提供必需的ESD性能。将这一最小尺寸增加一倍，就可以将相邻晶体管触点的镇流区域融合，确保驱动器以及ESD晶体管综合的版图非常紧凑，如图2所示。
     第三，设计工程师不用考虑多触点晶体管的ESD性能。最初的设计引入了较大的宏镇流电阻(macro-ballasting resistor)，当单触点传导相对较小的ESD电流时，这些宏镇流电阻的作用是快速地增加电压。最近，越来越多的设计都使用动态时序电路为实现所有触点的同时触发提供触发偏置。
     这种设计方案的创新性是由于避免了ESD事件发生时多触点晶体管的同时开启问题。ESD发生时，至少一个晶体管触点会被触发来实现ESD电流的传导。这只是一种假设，可以使用多触点晶体管的非均匀传导状态来理解ESD事件的全过程。可以获得一个偏置信号来打开所有的触点，而并不需要任何动态触发器电路就可以实现，并且可以只用最小的宏镇流电阻来实现。目前，在深亚微米CMOS工艺中，I/O单元的实现可以从235微米减小到160微米和138微米。
     这种新的设计方法在ESD防护性能和效率上都很大程度提高，并且在实现防静电保护避免IC损坏，进一步提高晶圆使用的效率方面发挥了积极作用。

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