c.航天产品上应用的一种进口的“隔离放大器”，在测试和机器调试中常有失效，由于这种放大器是双极型二次集成电路，说明书上只有功能方块图，无具体线路图，所以使用者未采取任何防静电的措施。失效模式为输出端对地呈现低电阻或短路，经解剖分析，发现每只电路内部都有3只MOS电容器，其中有一只就是直接跨接在解调器的输出与地之间。因此，该输出端很怕静电放电。由于使用者并不了解这一特殊情况，所以未采取防静电措施，结果ESD损伤失效常有发生， 经济损失很大 。后来采取防静电措施后，输出对地短路的失效现象就消。

　　d.某航天电子产品用肖特基TTL电路54LS10，在部件进行老练和测试后失效，失效模式为输入端漏电流增大。经分析表明，失效由ESD或电浪涌损伤引起。解剖分析后发现芯片表面无任何电损伤痕迹，也无任何工艺缺陷，经过各项试验证实，输入漏电不是氧化层内的钠离子沾污，也不是芯片表面的潮气和可动电荷沾污所引起。经现场调查，失效的输入端恰好是该部件的输入端子，在测试和老练过程中该端子常与人体或设备的机壳相碰，且操作现场并未采取防ESD措施，所以判断失效由ESD损伤引起。此外，输入端碰上有漏电的机壳也会引起类似失效。

　　e.某星上用进口的军用CCD(电荷耦合器件)，在使用过程中不知不觉就失效，这不仅造成了重大经济损失，而且严重地影响了工作进行。经调查与分析，判断失效由ESD损伤引起。因为该CCD是超大规模集成电路，又属于MOS型器件，它对ESD特别敏感。根据静电敏感度，完全属于静电放电最敏感的器件之一 ，只要100伏的静电压，就可能损坏(与MOS单管相差不多，甚至还要敏感)。经现场调查，工作间地板电阻率为1013~1014Ω/cm，它已不属于防静电地板(防静电地板应为106~108)，工作人员采取了防ESD措施，仍然有静电荷积累。全面地采取了防静电措施，这一失效就得到了有效的控制。

　　f.双极运算放大器LF253在入厂检收和二次筛选中均发现失效，失效比例大约5％。经解剖分析发现，补偿端的铝条上有一小区域内有“变色”现象，这种变色点是由瞬变电过应力引起的局部高温造成，它可能是ESD损伤引起的，因为LF253是双极型电路，使用者并未采取必要的防ESD损伤措施，所以ESD操作的可能性很大。利用“静电模拟器”进行模拟试验，发现补偿端与正电源之间的损伤电压仅有6KV而其他端可达5.0KV，可见，运算放大器也要采取必要的防静电措施。

　　g.彩电高频头内的MOS场效应管常有失效发生。经过解剖分析，发现芯片表面有很小的“丝状”击穿通路。这种失效是由ESD引起的，因为彩电荧光屏上有40～50KV的静电电压，如果不慎将这样高的静电压通过天线引入高频头，就很容易引起MOS管失效。

　　h.某厂生产的高频晶体管3DG142在入厂检验和二次筛选中常有失效发生，失效模式是eb结漏电或短路。经解剖分析，发现eb结有轻微的烧毁痕迹。由于这种管子是双极器件，使用者未采取防静电措施。但这种高频晶体管是浅结器件，易受静电放电损伤。例如，当测试人员刚走进工作室在测试台前坐下来时，人体上的静电压可能是比较高的，此时去拿晶体管进行测试就很可能引起ESD损伤。由于eb结的面积很小，并且是浅结，所以损伤部位一般都是eb结(bc结不会损伤)。可见，对于高频，特别是超高频的小功率管，在使用过程中也应适当采取防静电损伤措施。

 

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