ESD（Electro-Static Discharge）即静电释放：两个带不同静电电平的物体，通过直接接触或静电电场的作用会使两物体的静电电荷发生位移，当静电电场达到一定能量，之间的介质被击穿而产生放电，这就是ESD的全过程。例如，在干燥的秋冬季节，推开门，开关抽屉，整理书籍，甚至按下电脑开关都有静电累积和释放的动作，可以说，我们就生活在一个静电的世界。ESD引起集成电路损伤的三种途径：

　　(1)人体活动引起的摩擦起电是重要的静电来源，带静电的操作者与器件接触并通过器件放电。(2)器件与用绝缘材料制作的包装袋、传递盒和传送带等摩擦，使器件本身带静电，它与人体或地接触时发生的静电放电。(3)当器件处在很强的静电场中时，因静电感应在器件内部的芯片上将感应出很高的电位差，从而引起芯片内部薄氧化层的击穿。或者某一管脚与地相碰也会发生静电放电。

　　根据上述三种ESD的损伤途径，建立了三种ESD损伤模型：人体带电模型、器件带电模型和场感应模型。其中人体模型是主要的。

　　损伤的失效模式(1)双极型数字电路a.输入端漏电流增加b.参数退化c.失去功能其中对带有肖特基管的STTL和LSTTL电路更为敏感。

　　(2)双极型线性电路a.输入失调电压增大b.输入失调电流增大c.MOS电容(补偿电容)漏电或短路d.失去功能(3)MOS集成电路a.输入端漏电流增大 b.输出端漏电流增大 c.静态功耗电流增大 d.失去功能(4)双极型单稳电路和振荡器电路a.单稳电路的单稳时间发生变化b.振荡器的振荡频率发生变化c.R.C连接端对地出现反向漏电对集成电路的损坏形式a.MOS电路输入端保护电路的二极管出现反向漏电流增 b.输入端MOS管发生栅穿c.MOS电路输入保护电路中的保护电阻或接触孔发生烧 毁d.引起ROM电路或PAL电路中的熔断丝熔断e.集成电路内部的MOS电容器发生栅穿f.运算放大器输入端(对管)小电流放大系数减小g.集成电路内部的精密电阻的阻值发生漂移h.与外接端子相连的铝条被熔断i.引起多层布线间的介质击穿(例如：输入端铝条与n+、间的介质击穿

 

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