LED属于半导体类元件，它的PN结是直接裸露在外头的，很容遭遇静电。当LED两个电极上的极性不同的电荷积累（感应产生电荷或者转移过来的电荷）到一定的程度，又得不到及时释放，电荷能量一旦超过LED芯片最大承受值时，电荷将以极短的瞬间（纳秒级别）在LED两个电极层之间进行放电，产生功率焦耳的热量，在导电层之间局部（往往是电阻值最小、电极周边的位置）的形成1400℃以上的高温，高温将会把导电层之间熔融成一些小孔，从而造成漏电、暗亮、死灯、电性飘移等现象。


    这个击穿LED的静电能量它并非就是一个高压，学术的讲是一个能量，它取决于电荷的量和释放的时间长短这两个核心系数。放电刹那的时间越短威力越大，电荷越多威力也越大。


   静电击穿LED是个非常复杂的过程，因此，测试LED抗静电时的模拟设计也是一项很复杂、很严谨的测试。

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