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什么是ESD的硬击穿和软击穿损害

时间:2012-07-10 09:23来源: 作者:wode 点击:
无论是静电电场还是静电电流都可能给器件造成致命的危害或潜在的损伤。静电产生后会在周围形成静电场,会产生力学效应,放电效应及静电感应效应等几种效应,人体携带静电也会

  无论是静电电场还是静电电流都可能给器件造成致命的危害或潜在的损伤。静电产生后会在周围形成静电场,会产生力学效应,放电效应及静电感应效应等几种效应,人体携带静电也会对其它物体放电,其中,静电的放电效应造成的危害最为严重,此种放电导致元器件的击穿破坏或对系统造成破坏无法正常运行一般简称为ESD损害,ESD对元器件的损害后果导致硬击穿或软击穿。今天给大家简单讲解一下什么是硬击穿和软击穿。


  硬击穿就是一次性造成元器件介质击穿、烧毁或永久性失效,使集成电路彻底损坏,永久性失效,当静电放电能量达到一定值时,足以引起封装集成电路块的爆炸,使其芯片完全烧毁裸露,造成人身伤害,设备故障耗费增加。硬击穿特征明显一般来说可以在器件组装件或插件板出厂交货之前检查出来。


  软击穿也称作软失效,是造成器件的性能劣化或参数指标下降,但还没有完全损坏而形成隐患,在最后质量检验中很难被发现,在使用时静电造成的电路潜在损伤,会使其参数变化,品质劣化,寿命降低,使设备运行一段时间后,随温度,时间,电压的变化出现各种故障不能正常工作即为软击穿。


  了解了ESD对电子元件的破坏,我们更应该提供警惕,规范生产操作流程,做好防护措施。 

 

 

 

(责任编辑:蚂蚁)
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