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ESD对便携器件的威胁

时间:2012-02-23 11:18来源:未知 作者:佚名 点击:
两种不导电材料的接触与分离都会引起电子的转移,因而在各物体上产生额外的电荷。当积累的静态电荷向另一个电位较低(相对地)的物体放电时,就产生了ESD。放电量的大小和放电持

  
  两种不导电材料的接触与分离都会引起电子的转移,因而在各物体上产生额外的电荷。当积累的静态电荷向另一个电位较低(相对地)的物体放电时,就产生了ESD。放电量的大小和放电持续时间取决于充电材料的类型和周围的环境等多种因素。所有的便携电子器件,从最基本的到最复杂的,都容易受到ESD的损坏。


  规定电子器件抗ESD要求的工业标准现在已经出台。人体是很好的静电电荷储存体。事实上,使用最广泛的抗ESD标准---IEC1000-4-2,采用了人体模型来定义ESD测试电压,其大小为2kV到15kV(空气放电)。峰值电流定义为高达30A,在60ns的持续时间里,放电波型在1ns内达到峰值。该脉冲包含几百微焦的总能量,可能损坏敏感的半导体器件。结短路、氧化层击穿或元件金属层的熔化会导致故障。有一点非常重要,即遭ESD损坏的器件可能并不会立即失效。一些器件参数老化会导致设备过早失效。

(责任编辑:佚名)
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